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SK海力士開發出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM
小熊在線 有毒的西瓜 | 2023年04月20日
SK海力士開發出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM ......
4月20日，SK海力士宣布，全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品。新品采用先進（Advanced）MR-MUF3和TSV4技術。通過先進MR-MUF技術加強了工藝效率和產品性能的穩定性，又利用TSV技術將12個比現有芯片薄40%的單品DRAM芯片垂直堆疊，實現了與16GB產品相同的高度。
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